Samsung produit en masse la plus petite DRAM DDR5 du secteur, a annoncé la société mardi.
La nouvelle DRAM DDR5 EUV 14 nm ne fait que 14 nanomètres et arbore cinq couches de technologie ultraviolette extrême (EUV). Il peut atteindre des vitesses allant jusqu'à 7,2 gigabits par seconde, soit plus du double de la vitesse de la DDR4. Samsung affirme également que sa nouvelle technologie EUV confère à la DRAM DDR5 la densité de bits la plus élevée, tout en augmentant la productivité de 20 % et en réduisant la consommation d'énergie de 20 %.
EUV devient de plus en plus important à mesure que la DRAM ne cesse de diminuer en taille. Cela aide à améliorer la précision des motifs, ce qui est nécessaire pour des performances plus élevées et de meilleurs rendements, a déclaré Samsung. La miniaturisation extrême de la DRAM DDR5 14 nm n'était pas possible avant d'utiliser la méthode de production conventionnelle de fluorure d'argon (ArF), et la société espère que sa nouvelle technologie aidera à répondre au besoin de performances et de capacités accrues dans des domaines tels que la 5G et l'intelligence artificielle.
À l'avenir, Samsung a déclaré qu'il souhaitait créer une puce DRAM 24 Go 14 nm pour répondre aux exigences des systèmes informatiques mondiaux. Il prévoit également d'étendre son portefeuille DDR5 14 nm pour prendre en charge les centres de données, les superordinateurs et les applications de serveur d'entreprise.
