Si vous souhaitez vous familiariser avec un élément clé de la technologie informatique, des smartphones modernes aux ordinateurs de bureau haut de gamme, vous devez comprendre la technologie FinFET.
Qu'est-ce que le FinFET ?
FinFET est une innovation technologique qui a permis aux fabricants de puces comme Samsung, TSMC, Intel et GlobalFoundries de développer des composants électriques toujours plus petits et plus puissants.
C'est une partie si importante de la conception de puces modernes qu'elle est utilisée dans la commercialisation des nœuds de processus sur lesquels elles sont basées. Un exemple est la technologie de processus FinFET de 7 nanomètres (nm) au cœur des processeurs Ryzen de troisième génération d'AMD. Ces dernières années, Nvidia a utilisé la technologie FinFET 16 nm de TSMC et la technologie FinFET 14 nm de Samsung dans ses cartes graphiques de la série 10 basées sur l'architecture Pascal.
Une ventilation technique de la technologie FinFET
Au niveau technique, FinFET, ou le transistor à effet de champ à ailettes, est un type particulier de transistor à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET). Il a une structure à double ou triple grille qui permet un fonctionnement beaucoup plus rapide et une plus grande densité de courant que les conceptions traditionnelles. Cela conduit également à des exigences de tension plus faibles, ce qui rend la conception FinFET beaucoup plus économe en énergie.
Bien que la première conception de transistor FinFET ait été développée dans les années 1990 sous le nom de Depleted Lean-channel Transistor, ou DELTA transistor, ce n'est qu'au début des années 2000 que le terme FinFET a été inventé. C'est une sorte d'acronyme, mais la partie "fin" du nom a été suggérée parce que les régions de source et de drain du MOSFET forment des ailettes sur la surface de silicium sur laquelle il est construit.
Utilisation commerciale FinFET
La première utilisation commerciale de la technologie FinFET a été avec le transistor nanomètre 25 nm créé par TSMC en 2002. Il était connu sous le nom de conception "Omega FinFET", avec d'autres itérations sur cette idée à venir dans les années qui ont suivi, y compris la variante Tri-Gate d'Intel, qui a été introduite en 2011 avec sa microarchitecture Ivy Bridge de 22 nm.
AMD a également prétendu travailler sur une technologie similaire au début des années 2000, bien que rien ne se soit vraiment concrétisé. Lorsqu'AMD a cédé ses participations dans GlobalFoundries en 2009, les branches produits et fabrications de l'entreprise ont été définitivement séparées.
À partir de 2014, tous les principaux fabricants de puces, y compris GlobalFoundries, ont commencé à utiliser la technologie FiNFET basée sur la technologie 16nm et 14nm, réduisant finalement la taille du nœud à 7nm avec les dernières itérations.
En 2019, des avancées technologiques supplémentaires ont permis des réductions encore plus importantes de la longueur des portes FinFET, conduisant à 7 nm. Au cours des deux prochaines années, nous verrons peut-être même une technologie de traitement de 5 nm pour des processeurs, des cartes graphiques et des systèmes sur puce (SoC) plus puissants et plus efficaces. Cependant, ces tailles de nœuds sont approximatives dans la plupart des cas et ne sont pas toujours directement comparables avec la dernière technologie 7 nm de TSMC et Samsung, qui serait à peu près comparable au processus 10 nm d'Intel.
